p-tip yapıdan n-tip yapıya azınlık taşıyıcısı elektronların akışında büyüklük olarak bir değişiklik olmayacaktır. Çünkü materyal içerisindeki iletkenlik seviyesi sınırlı sayıda katkılarla kontrol edilmektedir.

     Arınma bölgesinin genişliğindeki azalma kavşak bölgesi içinden yoğun bir çoğunluk akısıyla sonuçlanır. n-tip materyal içerisindeki bir elektron alçalan arınma bölgesinden dolayı kavşakta azalmış bir engel görür. p-tip materyale uygulanan pozitif potansiyelden dolayı kuvvetli bir çekimle karşılaşır. Uygulanan gerilimin büyüklüğündeki artmaya bağlı olarak arınma bölgesi genişliği azalmaya devam edecek ve çok sayıda elektron kavşak içinden rahatlıkla geçebilecektir. Bu akımdaki artış eksponansiyel bir artışa sahiptir.

Katı hal fiziği kullanılarak bir yarıiletken diodun genel karakteristiği ileri ve ters gerilim için

            I_F= ileri gerilim akımı

            I_S= ters gerilim satürasyon akımı

            e = elektron yükü = 1.6.10^-19 C  

V_F = ileri gerilim voltajı

            k = Boltzman sabiti = 1.38.10^-23joule/^oK

            T= mutlak sıcaklık (^oK), Oda sıcaklığı T = 273+30 = 300^oK

                                                                                     0^oC = 273^oK

Yapıdaki kovalent bağlardan kopan elektronların yeni yeni elektron oluşturması olayı.

Gerçek diodlarda iletkenlik artımı

                        Ge 0.3V

                        Si  0.7V  dan itibaren başlar.

Ters yönde polarlanmada çok az da olsa (mA) mertebesinde bir kaçak akımın varlığı gözlenir (Katkı atomlarından dolayı.)