üniversite
Katıhal fiziği
Galvonometrik ve Fotoelektriksel Efektler | Galvonometrik ve Fotoelektriksel Efektler |
|
|
|
| Yazar fizik | |
| Perşembe, 08 Ekim 2009 | |
|
Yarı iletkenlerde yük taşıyıcılar hareketi çeşitli dış etkenlerle oldukça kuvvetli bir şekilde etkilenir. Bu etkilenmeden, çok sayıda teknik uygulama alanlarında yararlanılır (örneğin ölçme ve ayar tekniğinde). Hareket halinde yük taşıyıcılara mağnetik bir alanda bir kuvvet etkisi yaratılır (Lorentz - kuvveti): → → → → → FL = ± evxB = ± Burada B = mağnetik indüksiyon, i = akım yoğunluğu, n = yük taşıyıcı konsantrasyonudur. Lorentz - kuvveti hız ve mağnetik alan vektörlerine dik olarak etki gösterir. Denklemde pozitif yük taşıyıcılar (boşluklar) için artı ve negatif yük taşıyıcılar (elektronlar) için eksi işareti kullanılır. Uzunlamasına dik açılı dikdörtgenler olarak açındırılmış yarı iletken deney parçasında yük taşıyıcıların parça kenar sınır yüzeyine paralel bir yolda harekete zorlanır. Burada mağnetik alanının deney yüzeyine dikliği yani, akım yoluna dikliği varsayımı geçerlidir. Dolayısıyla i ve B ‘nin skaler büyüklükleri hesaplanabilir. Geometrik olarak düz bir doğrultuda harekete zorlamada Lorenz-kuvveti bir elektriksel alan kuvveti, FH = eEH =
e (b = deney parçası genişliği). Dengede, yani FL = FH durumunda deney parçası yani sınır yüzeyinde UH = ± değerinde bir Hall - gerilimi oluşur. Denklemdeki akım yoğunluğu i yerine akım şiddeti I = idb alındığında Hall-gerilimi UH = RH . (RH = Hall - sabitesi, d = deney parçası kalınlığıdır). Hall - sabitesinin büyüklüğü ve ön işaretinden yük taşıyıcı
konsantrasyonu ve türü hakkında bilgi edinilir. Burada n – tipi yarı
iletkenlerde RH = - Hall – efekti belli bir mağnetik alanda iletme tipinin ve yük taşıyıcılar konsantrasyonunun saptanmasında özellikle yararlıdır. Belirli yük taşıyıcı konsantrasyonu ile Hall deneyi yardımı sonucu mağnetik alan ölçmeleri yapılır. Ayrıca UH = RH . Mağnetik alanda yük taşıyıcıların sapması kısa ve geniş bir deney parçasında direnç değişmesi olarak kendini belli eder. Zira bu halde akım elektriksel alan yönüne bir θ açısı ile geçer. Pratikte birçok kısa deney parçaları birbiri ardına bağlanır ve bu paralel bağlantıda kısa aralıklarla yarı iletkenler üzerinde buharlaştırılır ya da metalik iletken iğneler arı iletken malzemelere gömülür. Mağnetik alanla bağıntılı dirençte (alan plakası) bir elektrona etki gösteren Lorentz – kuvveti FL = evB = eμnEB ve elektriksel alan kuvveti ise │FE│= eE olup, bunlar birbirlerine diktir. Bunlardan tanθ = eμnB bağıntısı ile Hall – açısı hesaplanabilir. Akım yoğunluğu vektörünün dönmesinin anlamı bir yönden 1 / Cosθ faktörü ile direncin etkili boyunun büyümesi ve diğer yönden Cosθ faktörü ile etkili kesitin azalmasıdır. Ro magnetik alanı olmadan direnç büyüklüğü olduğuna göre; R(B) = Buradan direnç ile alan şiddeti arasındaki bağıntıda görülmektedir. Geometrik koşullardan direnç değişmesi için açıklamalardan ayrı olarak spesifik dirençle mağnetik alanı arasında fiziksel bir bağlantıda oluşabilir. Dirençlerin mağnetik alanlarına bağlılığı ile mağnetik alanlarının ölçülmesinde, pozisyon düzenlerinde ve kontaksız potansiyometrelerde (ayar dirençleri) kullanılır. R(B) için olan bağıntıya uygun olarak yarı iletken malzemeleri mümkün olan yüksek düzeyde hareketlilikle kullanmalıdır. Bir yarı iletkenin enerjili bir ışınla hv > WG olacak şekilde ışınlanması ile elektron-boşluk çiftleri sağlanır. Bu duruma ilave olarak oluşturulan bu yük taşıyıcıların ömürleri ne kadar yüksek olursa iletkenliğe etkide o oranda kuvvetli olur. Bazı foto yarı iletkenlerin her iki yük taşıyıcılardan (örneğin delikler) tuzaklarla yakalanır. Diğer yük taşıyıcıların ömürleri çok yükselir (yüksek ışık hassasiyeti), buna karşın ışınlamanın durması ile zamansal atalet durumu ile tuzak yerlerindeki yük taşıyıcıların serbest kalabilme dezavantajı vardır. Bu duruma göre de esas sorun yüksek duyarlık ile zamansal çözülme arasında bir dengenin sağlanabilmesidir.
|
| < Önceki | Sonraki > |
|---|
| ana |
| sözlük |
| özel dosyalar |
| lise1 |
| lise2 |
| lise3 |
| Video fizik |
| Blog |
| üniversite |