Skip to content
Bulunduğunuz yer: ana arrow üniversite arrow Katıhal fiziği arrow Galvonometrik ve Fotoelektriksel Efektler


bilimge




Galvonometrik ve Fotoelektriksel Efektler PDF Yazdır E-posta
Yazar fizik   
Perşembe, 08 Ekim 2009


Yarı iletkenlerde yük taşıyıcılar hareketi çeşitli dış etkenlerle oldukça kuvvetli bir şekilde etkilenir. Bu etkilenmeden, çok sayıda teknik uygulama alanlarında yararlanılır (örneğin ölçme ve ayar tekniğinde). Hareket halinde yük taşıyıcılara mağnetik bir alanda bir kuvvet etkisi yaratılır (Lorentz - kuvveti):

→         →   →     →    →

FL  =  ± evxB  =  ±  x B

Burada  B = mağnetik indüksiyon,   i =  akım yoğunluğu,  n = yük taşıyıcı konsantrasyonudur.

Lorentz - kuvveti hız ve mağnetik alan vektörlerine dik olarak etki gösterir. Denklemde pozitif yük taşıyıcılar (boşluklar) için artı ve negatif yük taşıyıcılar (elektronlar) için eksi işareti kullanılır.


Uzunlamasına dik açılı dikdörtgenler olarak açındırılmış yarı iletken deney parçasında yük taşıyıcıların parça kenar sınır yüzeyine paralel bir yolda harekete zorlanır.

Burada mağnetik alanının deney yüzeyine dikliği yani, akım yoluna dikliği varsayımı geçerlidir. Dolayısıyla  i  ve  B ‘nin skaler büyüklükleri hesaplanabilir. Geometrik olarak düz bir doğrultuda harekete zorlamada Lorenz-kuvveti bir elektriksel alan kuvveti,

FH  =  eEH  =  e    ile dengelenebilir.

(b  =  deney parçası genişliği).

Dengede, yani  FL   =   FH   durumunda deney parçası yani sınır yüzeyinde

UH  =  ±  . b. B  =  RH . b . i . B    

değerinde  bir Hall - gerilimi oluşur. Denklemdeki akım yoğunluğu  i yerine akım şiddeti  I = idb   alındığında  Hall-gerilimi 

UH  =  RH  . B          olur.

(RH = Hall - sabitesi,    d =  deney parçası kalınlığıdır).

Hall - sabitesinin büyüklüğü ve ön işaretinden yük taşıyıcı konsantrasyonu ve türü hakkında bilgi edinilir. Burada  n – tipi yarı iletkenlerde   RH  =  -   ve  p – tipi iletkenlerde ise                  RH = +              dir.

Hall – efekti belli bir mağnetik alanda iletme tipinin ve yük taşıyıcılar konsantrasyonunun saptanmasında özellikle yararlıdır. Belirli yük taşıyıcı konsantrasyonu ile Hall deneyi yardımı sonucu mağnetik alan ölçmeleri yapılır.

Ayrıca       UH  =  RH  . B     denklemi yardımı ile elektronik çarpım düzenli Hall – jeneratörü yapılabilir. Yeterli bir ölçüde bir Hall – gerilimi ve aynı zamanda çok düşük bir iç direnç sağlanabilmesi için, yarı iletken malzemelerin düşük ölçüde doyurulmuş ve yüksek yük taşıyıcı hareketliliğine sahip olmaları gerekir (Örneğin InAs, InSb).

Mağnetik alanda yük taşıyıcıların sapması kısa ve geniş bir deney parçasında direnç değişmesi olarak kendini belli eder. Zira bu halde akım elektriksel alan yönüne bir θ açısı ile geçer. Pratikte birçok kısa deney parçaları birbiri ardına bağlanır ve bu paralel bağlantıda kısa aralıklarla yarı iletkenler üzerinde buharlaştırılır ya da metalik iletken iğneler arı iletken malzemelere gömülür.

Mağnetik alanla bağıntılı dirençte (alan plakası) bir elektrona etki gösteren Lorentz – kuvveti

FL  =  evB  =  eμnEB        ve    elektriksel alan kuvveti ise

│FE│=  eE         olup, bunlar birbirlerine diktir.

Bunlardan  tanθ = eμnB  bağıntısı ile Hall – açısı  hesaplanabilir.

Akım yoğunluğu vektörünün dönmesinin anlamı bir yönden 1 / Cosθ  faktörü ile direncin etkili boyunun büyümesi ve diğer yönden  Cosθ   faktörü ile etkili kesitin azalmasıdır.  Ro  magnetik alanı olmadan direnç büyüklüğü olduğuna göre;

R(B)  =     =  Ro(1 + tan2θ)   =   Ro(1 1 μn2B2) dir.

Buradan direnç ile alan şiddeti arasındaki bağıntıda görülmektedir.

Geometrik koşullardan direnç değişmesi için açıklamalardan ayrı olarak spesifik dirençle mağnetik alanı arasında fiziksel bir bağlantıda oluşabilir.

Dirençlerin mağnetik alanlarına bağlılığı ile mağnetik alanlarının ölçülmesinde, pozisyon düzenlerinde ve kontaksız potansiyometrelerde (ayar dirençleri) kullanılır. R(B) için olan bağıntıya uygun olarak yarı iletken malzemeleri mümkün olan yüksek düzeyde hareketlilikle kullanmalıdır. Bir yarı iletkenin enerjili bir ışınla hv > WG olacak şekilde ışınlanması ile elektron-boşluk çiftleri sağlanır. Bu duruma ilave olarak oluşturulan bu yük taşıyıcıların ömürleri ne kadar yüksek olursa iletkenliğe etkide o oranda kuvvetli olur.

Bazı foto yarı iletkenlerin her iki yük taşıyıcılardan (örneğin delikler) tuzaklarla yakalanır. Diğer yük taşıyıcıların ömürleri çok yükselir (yüksek ışık hassasiyeti), buna karşın ışınlamanın durması ile zamansal atalet durumu ile tuzak yerlerindeki yük taşıyıcıların serbest kalabilme dezavantajı vardır. Bu duruma göre de esas sorun yüksek duyarlık ile zamansal çözülme arasında bir dengenin sağlanabilmesidir.

 

 


 
< Önceki   Sonraki >



Giriş

Syndicate

Spot reklam

kimya geometri siteniz bilgisayar dergisi Bu alana reklam ver Bu alana reklam ver Bu alana reklam ver Bu alana reklam ver Your ad here Bu alana reklam ver Bu alana reklam ver flash science bilim siteniz öss hazırlık siteniz

Online kullanıcılar

Üye Bağlı Değil

Workflows

Blogta son 5

  • Termal ve Mekanik En ...
    Termal ve
    Mekanik Enerji
    Enerjinin pek
    çok
    çeşidini,
    kolayca ve doğrudan
    termal enerji ve
    mekanik ... by fizik
  • Transistörler
        
    Transistörler
    pek çok
    elektronik devrede
    gerekli bir işlem
    olan sinyal
    yükselt ... by fizik
  • potansiyel enerji
    Korunumlu
    kuvvetlerin
    bulunduğu bîr
    ortamdaki bir cisim,
    bulunduğu
    yer dolayısıyle bîr
    iş yapına
    yeteneğine, yani bir
    e ... by fizik
  • Tersinir ve tersinme ...
    Tersinir ve
    tersinmez ısı
    iletimiSıcaklığı
    100C olan 2500 mol
    sudan sıcaklığı C
    olan buza 
    termik denge
    kurulana de ... by fizik
  • Aynalar
    Ayna üzerine
    düşen bir ışık
    demeti yine bir
    demet olarak
    yansır.Düzlem
    aynanın parlak
    yüzeyi sırlanm ... by fizik

Son yorumlar

    Kimler Sitede

    Şuanda 28 misafir bağlı