Transistörler anahtar olarak, şiddetlendirici (gerilim+ akım) olarak kullanılabilmesi için transistörün öngerilimlendirilmesi gerekir. Transistörü iletim konımunda tutma ve onu karakteristik çalışma eğrisinde belli bir yerini seçmek yani öngerilimleme sabit bir akımı transistörün içinden geçirmek ve transistör üzerinde sabit bir gerilim düşmesi sağlamaktadır.

ÇALIŞMA NOKTASI

Öngerilimin amacı, çalışma noktası (Q noktası) denen ve belli bir düzeyde akım ve gerilim sağlamak olduğundan, bu noktanın transistör karakteristiği üzerinden nasıl seçileceğine bakalım. Bunun için karakteristik üzerinde bir çalışma noktası belirleyelim ve transistörün bir ac sinyalini nasıl şiddetlendirdiğini şematik olarak gösterelim.

Seçtiğimiz ön gerilim düzeyine ek olarak, devreye bir ac sinyali uygulandığında transistörün çalışma nokyası Q’dan akım ve gerilim olarak saparak ac sinyalinin hem pozitif hem negatif bölümüne tepki verecektir. Onu şiddetlendirecektir. Bu Q çalışma noktası karakteristik üzerinde herhangi bir yerde seçilebilir ancak bu takdirde giriş sinyalinin pozitif ve negatif bölümleri aynı oranda şiddetlendirilemez. Eğer çalışma noktasını  Q₁’e getirirsek, bu giriş sinyalininin pozitifini daha çok, nehatifini daha az şiddetlendirecektir. Yani bu nokta karakteristiğin lineer olmadığı bölgededir.

Q₂ noktasını seçersek transistörün maksimum gerilim düzeyinin çok yakınındayızdır. Bu ise çıkış geriliminin pozitif bölümünün transistörün maksimumu gerilimini aşmasına neden olacağından transistörün zarar görmesine neden olur. Dolayısıyla Q noktası doğrusal kazanç veya mümkün olan en büyük gerilim ve salınımı açısından en iyi sonucu verir.

Özet  olarak:

Bir transistörün

1)Doğrusal bölgede çalışması için baz-emitter ileri öngerilimlenir ve ya baz-kollektör ters öngerilimlendirilir.

2)Kesim bölgesinde çalışması için baz-emitter ters öngerilimlenir.

3) Doyum bölgesinde çalışması için baz-emitter ileri öngerilimlenir ve ya baz-kollektör ileri öngerilimlenir.

I.SABİT ÖNGERİLİM (SABİT BİAS)

V_CC , V_BE = sabit  değerler olduğundan baz-öngerilim direncinin değeri baz akımının değerini belirler. I_B akımı (mA) çok küçük olduğundan emitterden geçen I_E akımı I_EI_C alınabilir.

Sabit biaslı devrenin daha kararlı çalışabilmesi için bu devreye emitter direnci ilave edilir.

II.PARALEL ÖNGERİLİM (PARALEL BİAS)

b değeri sıcaklığa karşı çok duyarlıdır. Paralel biaslı devre b değerinden bağımsızdır ve çok kullanışlı bir öngerilimleme devresidir. Bu devredeki kollektör akımındaki bir artış, R_E üzerindeki gerilim düşmesini arttırır. Bu ise baz emitter geriliminin azalmasına neden olacağından kollektör akımı azalmak zorunda kalır. Thevenin eşdeğer devre metodunu bu devreye uygulayalım.

Bazı gören direnç direncinden daima büyük olduğundan  den geçen akımın neredeyse tümü ’ye gider ve bu iki direnç paralel kabul edilir.

III.GERİ BESLEMELİ ÖNGERİLİMLEME:

Bu devrede öngerilimleme kararlılığını artırmak için bir emitter direncinin yanısıra, gerilim geribeslemesi bir R_B direnci yardımıyla yapılır.