| Yarı İletken |
|
|
|
| Yazar fizik | |
| Salı, 01 Eylül 2009 | |
|
Yarı iletken devre elemanlarının yapımında saflaştırılmış ve gerektiği şekilde kristalleştirilmiş silisyum (Si) veya Germanyum (Ge) kullanılır. Düzgün kristal yapıdaki böyle bir yarı iletken malzemeye yabancı atomlar (örneğin P,As,...v.s) katılırsa, “serbest elektronlar” çoğaltılabilir. Bunlarla birlikte, ısıl uyarma sonucu yarı iletken malzeme atomlarından kopan elektronlar da vardır. Bu kopmalarla oluşan elektron noksanlığı çok zaman o yerlerde pozitif yüklerin kaldığı şekilde yorumlanır. Bu sözde pozitif yüke delik (deşik) denir. Delikler de, komşu atomlardan çalınan elektronlarla doldurmaları sonucu rasgele hareket ederler. Bir elektrik alan uygulandığında delikler de elektronlar gibi alanın belirlediği yönde sürüklenerek bir akıma neden olurlar. Deliklerle elektronların alanın etkisi ile hareket yönleri zıt olduğu halde taşıdıkları yükler de zıt işaretli olduğundan oluşturdukları akımlar aynı yönde, pozitiften negatife doğrudur.
Sonuç olarak yabancı atomlarla katkılanmış bir yarı iletkenin cinsine göre, ya çok sayıda elektron ve az sayıda delik ya da çokça delik ve az elektron bulunduğu söylenebilir. Fazla sayıdaki taşıyıcılar çok zaman çoğunluk taşıyıcıları, diğerleri ise azınlık taşıyıcıları olarak anılırlar. Çoğunluk taşıyıcıları negatif yükler, yani elektronlar olan bir yarı iletken n-tipi olarak isimlendirilir. Diğer türe ise p-tipi denir.
Katkı atomları katılmış bir yarı iletkende belirli bir sıcaklıkta, bu taşıyıcı yoğunlukları çarpımının sabit olduğu gösterilebilir. Ancak bunların taşıyıcı yoğunluğu, saf yarı iletkenlere göre daha büyüktür. Dolayısıyla katkılanmış yarı iletkenlerin iletkenlikleri daha mükemmeldir.
|
| < Önceki | Sonraki > |
|---|
| ana |
| sözlük |
| özel dosyalar |
| lise1 |
| lise2 |
| lise3 |
| Video fizik |
| Blog |
| üniversite |